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1 A produção em massa da revolucionária memória de computador se aproxima com ULTRARAM™ em pastilhas de silício pela primeira vez 1

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ULTRARAM™ é um novo tipo de memória com propriedades extraordinárias. Ele combina a não volatilidade de uma memória de armazenamento de dados, como flash, com a velocidade, eficiência energética e resistência de uma memória de trabalho, como DRAM. Para fazer isso, ele utiliza as propriedades únicas de semicondutores compostos, comumente usados ​​em dispositivos fotônicos como LEDS, diodos laser e detectores infravermelhos, mas não em eletrônica digital, que é preservada pelo silício.

Inicialmente patenteada nos Estados Unidos, outras patentes da tecnologia estão atualmente em andamento nos principais mercados de tecnologia em todo o mundo.

1 Produção em massa de movimentos revolucionários de memória de computador mais perto com ULTRARAM™ em wafers de silício pela primeira vez 1

Agora, em uma colaboração entre os Departamentos de Física e Engenharia da Universidade de Lancaster e o Departamento de Física de Warwick, o ULTRARAM™ foi implementado em wafers de silício pela primeira vez.

O professor Manus Hayne, do Departamento de Física de Lancaster, que lidera o trabalho, disse: "ULTRARAM™ em silício é um grande avanço para nossa pesquisa, superando desafios de materiais muito significativos de grande incompatibilidade da rede cristalina, a mudança de elementar para composto semicondutor e diferenças na contração térmica."

A eletrônica digital, que é o núcleo de todas as engenhocas, desde relógios inteligentes e smartphones até computadores pessoais e data centers, usa processadores e chips de memória feitos de silício como elemento semicondutor.

Devido à maturidade da indústria de fabricação de chips de silício e ao custo multibilionário de construção de fábricas de chips, a implementação de qualquer tecnologia eletrônica digital em wafers de silício é essencial para sua comercialização.

Surpreendentemente, o ULTRARAM™ em dispositivos de silício realmente supera as encarnações anteriores da tecnologia em wafers semicondutores compostos de GaAs, demonstrando tempos de armazenamento de dados (extrapolados) de pelo menos 1.000 anos, velocidade de comutação rápida (para o tamanho do dispositivo) e ciclagem de apagamento de programa resistência de pelo menos 10 milhões, o que é cem a mil vezes melhor que o flash.