ULTRARAM™ est un nouveau type de mémoire aux propriétés extraordinaires. Il combine la non-volatilité d'une mémoire de stockage de données, comme le flash, avec la vitesse, l'efficacité énergétique et l'endurance d'une mémoire de travail, comme la DRAM. Pour ce faire, il utilise les propriétés uniques des semi-conducteurs composés, couramment utilisés dans les dispositifs photoniques tels que les LED, les diodes laser et les détecteurs infrarouges, mais pas dans l'électronique numérique, qui est l'apanage du silicium.
Initialement breveté aux États-Unis, d'autres brevets sur la technologie sont actuellement en cours de développement sur des marchés technologiques clés à travers le monde.
Maintenant, dans le cadre d'une collaboration entre les départements de physique et d'ingénierie de l'université de Lancaster et le département de physique de Warwick, ULTRARAM™ a été mis en œuvre pour la toute première fois sur des tranches de silicium.
Le professeur Manus Hayne du département de physique de Lancaster, qui dirige les travaux, a déclaré : " ULTRARAM™ sur le silicium est une avancée considérable pour notre recherche, surmontant les défis très importants des matériaux tels que l'inadéquation du réseau cristallin, le passage de l'élémentaire au composé semi-conducteur et les différences de contraction thermique."
L'électronique numérique, qui est au cœur de tous les gadgets, des montres et téléphones intelligents aux ordinateurs personnels et aux centres de données, utilise des processeurs et des puces de mémoire fabriqués à partir de l'élément semi-conducteur silicium.
En raison de la maturité de l'industrie de la fabrication de puces en silicium et du coût de plusieurs milliards de dollars de la construction d'usines de puces, la mise en œuvre de toute technologie électronique numérique sur des tranches de silicium est essentielle pour sa commercialisation.
Remarquablement, l'ULTRARAM™ sur les dispositifs en silicium surpasse en fait les incarnations précédentes de la technologie sur les tranches semi-conductrices composées de GaAs, démontrant des durées de stockage de données (extrapolées) d'au moins 1 000 ans, une vitesse de commutation rapide (pour la taille du dispositif) et un cycle d'effacement de programme endurance d'au moins 10 millions, ce qui est cent à mille fois mieux que le flash.
