ULTRARAM™ es un tipo novedoso de memoria con propiedades extraordinarias. Combina la no volatilidad de una memoria de almacenamiento de datos, como flash, con la velocidad, la eficiencia energética y la resistencia de una memoria de trabajo, como DRAM. Para hacer esto, utiliza las propiedades únicas de los semiconductores compuestos, comúnmente utilizados en dispositivos fotónicos como LEDS, diodos láser y detectores de infrarrojos, pero no en la electrónica digital, que es propiedad exclusiva del silicio.
Inicialmente patentado en los EE. UU., actualmente se están procesando más patentes de la tecnología en mercados tecnológicos clave de todo el mundo.
Ahora, en una colaboración entre los Departamentos de Física e Ingeniería de la Universidad de Lancaster y el Departamento de Física de Warwick, ULTRARAM™ se ha implementado en obleas de silicio por primera vez.
El profesor Manus Hayne, del Departamento de Física de Lancaster, que dirige el trabajo, dijo: "ULTRARAM™ en silicio es un gran avance para nuestra investigación, ya que supera los desafíos de materiales muy significativos del gran desajuste de la red cristalina, el cambio de elementos elementales a compuestos semiconductor y diferencias en la contracción térmica".
La electrónica digital, que es el núcleo de todos los dispositivos, desde relojes inteligentes y teléfonos inteligentes hasta computadoras personales y centros de datos, utiliza procesadores y chips de memoria fabricados con el elemento semiconductor silicio.
Debido a la madurez de la industria de fabricación de chips de silicio y el costo multimillonario de construir fábricas de chips, la implementación de cualquier tecnología electrónica digital en obleas de silicio es esencial para su comercialización.
Sorprendentemente, ULTRARAM™ en dispositivos de silicio realmente supera a las encarnaciones anteriores de la tecnología en obleas de semiconductores compuestos de GaAs, demostrando tiempos de almacenamiento de datos (extrapolados) de al menos 1000 años, velocidad de conmutación rápida (para el tamaño del dispositivo) y ciclos de borrado de programas resistencia de al menos 10 millones, que es de cien a mil veces mejor que el flash.
